一、產(chǎn)品概述

LTS-I 系列紅外干涉測(cè)厚傳感器是專為半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝及化合物半導(dǎo)體等高精度制造領(lǐng)域打造的專業(yè)測(cè)厚設(shè)備，通過 “高精度探頭 + 高性能控制器” 的組合（適配 LTS-IRP-D20 測(cè)距型探頭、LTS-IRP-T50 測(cè)厚型探頭，搭配 LTS-IRC5400-S 控制器），實(shí)現(xiàn)從 “納米級(jí)精度檢測(cè)” 到 “高速在線全檢” 的全場(chǎng)景覆蓋。產(chǎn)品以 “零接觸、高穩(wěn)定、強(qiáng)適配” 為核心特性，可精準(zhǔn)應(yīng)對(duì)超薄晶圓、多層半導(dǎo)體材料及先進(jìn)封裝組件的厚度測(cè)量需求，為產(chǎn)線工藝監(jiān)控、良率提升及成本控制提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

二、核心技術(shù)突破：奠定納米級(jí)測(cè)量實(shí)力

LTS-I 系列的核心競(jìng)爭(zhēng)力源于多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的集成創(chuàng)新，從光源、光學(xué)設(shè)計(jì)到信號(hào)處理全鏈路優(yōu)化，確保測(cè)量精度與穩(wěn)定性：

1. 高精度光學(xué)系統(tǒng)：源頭保障測(cè)量質(zhì)量
   采用SLD 超輻射二極管作為光源，配合高數(shù)值孔徑物鏡，可聚焦出 Φ20μm 的微小光斑（測(cè)厚型探頭為參考距離處光斑直徑，測(cè)距型探頭為量程中心光斑直徑），同時(shí)控制 ±2° 的精準(zhǔn)測(cè)量角度，有效減少雜光干擾，確保光線聚焦于被測(cè)層，為后續(xù)信號(hào)采集提供高質(zhì)量基礎(chǔ)。

2. 專有信號(hào)解調(diào)技術(shù)：抑制噪聲，提升數(shù)據(jù)可靠性
   搭載專有傅里葉變換相位解調(diào)技術(shù)，可高效分離有效測(cè)量信號(hào)與環(huán)境噪聲，即使在工業(yè)產(chǎn)線復(fù)雜環(huán)境下，仍能保持穩(wěn)定的測(cè)量輸出；同時(shí)突破傳統(tǒng)分光干涉測(cè)量技術(shù)的局限，將測(cè)量精度推向納米級(jí)，滿足半導(dǎo)體制造對(duì) “超精密檢測(cè)” 的嚴(yán)苛要求。

3. 高速數(shù)據(jù)處理單元：匹配產(chǎn)線節(jié)奏
   內(nèi)置高速 FPGA 數(shù)據(jù)處理單元，實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)量<25 微秒的極速響應(yīng)，采樣頻率最高可達(dá) 40kHz，支持全檢模式。該單元可實(shí)時(shí)同步產(chǎn)線節(jié)拍，避免 “測(cè)量滯后導(dǎo)致批量不良” 的問題，為工藝實(shí)時(shí)反饋與調(diào)整提供核心算力支撐。

三、關(guān)鍵性能參數(shù)：精準(zhǔn)與穩(wěn)定的量化保障

LTS-I 系列的性能優(yōu)勢(shì)通過明確的參數(shù)指標(biāo)落地，覆蓋精度、量程、環(huán)境適應(yīng)性等核心維度，確保在工業(yè)場(chǎng)景中持續(xù)可靠運(yùn)行：

四、核心功能優(yōu)勢(shì)：直擊制造痛點(diǎn)，提升產(chǎn)線價(jià)值

1. 多層材料精準(zhǔn)測(cè)量：適配多元半導(dǎo)體基材

針對(duì)半導(dǎo)體制造中常見的硅、碳化硅、砷化鎵等多層材料，LTS-I 系列通過 “優(yōu)化紅外光譜選擇 + 分層信號(hào)算法分離” 技術(shù)，可一鍵式完成多層結(jié)構(gòu)的厚度分析，精準(zhǔn)識(shí)別各層界面并測(cè)量整體晶圓厚度，無需手動(dòng)調(diào)整參數(shù)，避免多層疊加導(dǎo)致的測(cè)量偏差。

2. 零接觸測(cè)量：保護(hù)高價(jià)值器件

采用 “Zero Contact, Zero Damage” 設(shè)計(jì)，完quan避免傳統(tǒng)接觸式測(cè)頭對(duì)晶圓表面的劃傷風(fēng)險(xiǎn)。這一特性對(duì)超薄 wafer（厚度微米級(jí)）、先進(jìn)封裝組件（如倒裝芯片）及化合物半導(dǎo)體至關(guān)重要，可有效減少因檢測(cè)環(huán)節(jié)導(dǎo)致的器件報(bào)廢，保護(hù)高價(jià)值產(chǎn)品。

3. 高速在線全檢：實(shí)時(shí)監(jiān)控工藝，杜絕批量不良

憑借<25 微秒的單點(diǎn)測(cè)量速度與 40kHz 的高采樣頻率，LTS-I 系列可融入產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)全檢，而非傳統(tǒng)抽樣檢測(cè)。結(jié)合實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)反饋功能，能快速發(fā)現(xiàn)研磨、拋光、外延等制程后的厚度偏差，立即觸發(fā)工藝參數(shù)調(diào)整，從源頭杜絕 “批量性不良品”，避免數(shù)千美元 / 片的晶圓報(bào)廢損失。

4. 工藝控制深度集成：助力 APC 系統(tǒng)優(yōu)化

在 CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）減薄等關(guān)鍵制程中，LTS-I 系列可實(shí)時(shí)監(jiān)控厚度變化與均勻性，向產(chǎn)線 APC（先進(jìn)過程控制）系統(tǒng)提供高頻、高可靠性的測(cè)量數(shù)據(jù)，精準(zhǔn)控制減薄終點(diǎn)，減少 “過薄” 或 “未達(dá)標(biāo)” 情況，顯著提升產(chǎn)品一致性。

五、典型應(yīng)用場(chǎng)景：覆蓋半導(dǎo)體制造全鏈路

LTS-I 系列的適配性貫穿半導(dǎo)體制造從前端制程到先進(jìn)封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，具體應(yīng)用包括：

• 研磨 / 拋光后檢測(cè)

  ：制程后即時(shí)測(cè)量晶圓厚度，快速修正研磨參數(shù)，避免后續(xù)制程因厚度偏差導(dǎo)致的連鎖問題；

• 外延制程監(jiān)控

  ：實(shí)時(shí)測(cè)量外延層（如硅外延、砷化鎵外延）厚度，確保外延生長(zhǎng)速率與目標(biāo)一致；

• CMP 減薄工藝控制

  ：精準(zhǔn)捕捉減薄過程中的厚度變化，為 APC 系統(tǒng)提供數(shù)據(jù)輸入，實(shí)現(xiàn) “毫米級(jí)到微米級(jí)” 的精確減薄終點(diǎn)控制；

• 先進(jìn)封裝測(cè)量

  ：適配硅通孔（TSV）、玻璃基板、復(fù)合半導(dǎo)體等新興封裝技術(shù)，完成厚度與形貌的雙重檢測(cè)，助力客戶攻克前沿封裝難題。

六、產(chǎn)品價(jià)值總結(jié)：從 “精度” 到 “效益” 的全面提升

LTS-I 系列紅外干涉測(cè)厚傳感器不僅是 “高精度測(cè)量工具”，更是半導(dǎo)體產(chǎn)線的 “良率守護(hù)者” 與 “工藝優(yōu)化伙伴”：

1. 良率提升

   ：通過實(shí)時(shí)檢測(cè)與工藝調(diào)整，減少因厚度偏差導(dǎo)致的高價(jià)值晶圓報(bào)廢，直接提升產(chǎn)線良率；

2. 成本節(jié)約

   ：全檢替代抽樣檢測(cè)，避免 “漏檢導(dǎo)致的批量返工”，同時(shí)零接觸設(shè)計(jì)減少器件損傷成本；

3. 技術(shù)前瞻性

   ：支持碳化硅、先進(jìn)封裝等新興領(lǐng)域，幫助客戶提前布局下一代半導(dǎo)體制造技術(shù)；

4. 易用性與集成性

   ：豐富的工業(yè)接口與二次開發(fā)包，可快速融入現(xiàn)有產(chǎn)線，降低部署成本。

綜上，LTS-I 系列紅外干涉測(cè)厚傳感器以 “納米級(jí)精度、高速在線能力、零接觸保護(hù)” 為核心，完mei適配半導(dǎo)體制造對(duì) “高精度、高效率、高可靠性” 的需求，是高精度制造企業(yè)實(shí)現(xiàn)工藝升級(jí)、提升核心競(jìng)爭(zhēng)力的理想選擇。